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碳化硅晶圓改質切割設備

設備型號:DSI-S-TC9310

應用范圍:第三代半導體SiC晶圓激光內部改質切割,針對SiC功率器件,RF射頻器件,GaN-on-SiC等SiC襯底晶圓激光切割。應用于微波射頻,消費電子,新能源汽車,電源,充電樁,軌道交通,航空航天,新能源并網等領域。



主要特點:

設備特點:

1、針對SiC材料特性開發出的光源系統,實現高精度的內部改質切割

2、切割速度快,良好的崩邊控制能力

3、作業無耗材,加工無材料損失

4、全自動作業,兼容4、6英寸晶圓

5、提供系統解決方案,配套裂片、擴片設備

6、SEMI標準,支持SECS-GEM通信



主要參數:


主要參數晶圓襯底SiC襯底 
晶圓尺寸4英寸、6英寸
切割厚度50um-500um
切割速度600mm-800mm/s
定位精度

重復定位精度:±1um

定位精度:±1um

傳輸系統Load port, robot, aligner
長x寬x高2070mm*1420mm*2238mm




加工效果:


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歡迎來電咨詢

400-666-4000

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